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Frequency characterization and modeling of interface traps in HfSixOy/HfO2 gate dielectric stack from a capacitance point-of-view
Applied physics letters, 2002-10, Vol.81 (18), p.3392-3394
2002
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Conduction mechanisms in Ta2O5/SiO2 and Ta2O5/Si3N4 stacked structures on Si
Journal of applied physics, 1999-07, Vol.86 (1), p.480-486
1999
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Properties of amorphous and crystalline Ta2O5 thin films deposited on Si from a Ta(OC2H5)5 precursor
Journal of applied physics, 1998-05, Vol.83 (9), p.4823-4829
1998
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Modeling negative bias temperature instabilities in hole channel metal–oxide–semiconductor field effect transistors with ultrathin gate oxide layers
Journal of applied physics, 2004-03, Vol.95 (5), p.2786-2791
2004
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Simulations of threshold voltage instabilities in HfySiOx and SiO2/HfySiOx-based field-effect transistors
Applied physics letters, 2003-12, Vol.83 (24), p.5065-5067
2003
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Interfacial hardness enhancement in deuterium annealed 0.25 μm channel metal oxide semiconductor transistors
Applied physics letters, 1997-06, Vol.70 (22), p.2999-3001
1997
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Theoretical investigation of incomplete ionization of dopants in 6H–SiC metal-oxide-semiconductor capacitors
Journal of applied physics, 1999-08, Vol.86 (4), p.2232-2236
1999
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Characterization of Si-SiO2 interface states : comparison between different charge pumping and capacitance techniques
Journal of applied physics, 1993-09, Vol.74 (6), p.3932-3935
1993
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Electrical characterization of instabilities in 6H silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors
Journal of applied physics, 1994-07, Vol.76 (2), p.993-997
1994
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Comparison of trapping–detrapping properties of mobile charge in alkali contaminated metal-oxide-silicon carbide structures
Applied physics letters, 1995-05, Vol.66 (18), p.2340-2342
1995
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Characterization of Si-SiO sub 2 interface states: comparison between different charge pumping and capacitance techniques
Journal of applied physics, 1993-01, Vol.74 (6), p.3932-3935
1993
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