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1, 2006
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.1-20
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.341-390
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.21-99
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.295-311
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.637-665
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.391-425
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.583-636
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.313-340
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.489-581
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.201-270
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.271-293
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.427-488
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.149-200
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.667-687
2018
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Semiconductor Power Devices, 2018, p.101-148
2018
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IEEE electron device letters, 1989-07, Vol.10 (7), p.322-324
1989
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IEEE transactions on electron devices, 1979-03, Vol.26 (3), p.191-200
1979
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Physica B + C, 1985, Vol.129 (1), p.337-341
1985
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