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  • BibTeX
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11)
2022
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A 0.015-mm ^} Inductorless 32-GHz Clock Generator With Wide Frequency-Tuning Range in 28-nm CMOS Technology
IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2017-06, Vol.64 (6), p.655-659
2017
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A 0.065 mm² Inductive Coupling Based Dual Core mm-Wave VCO With 183 dBc/Hz FoMT
IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2024-06, Vol.71 (6), p.2550-2562
2024
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A 0.1-3 GHz 0.5W two-stage quadruple-stacked CMOS Power PA
2023 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT), 2023, p.1-3
2023
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An 0.1-μm voidless double-deck-shaped (DDS) gate HJFET with reduced gate-fringing-capacitance
IEEE transactions on electron devices, 1999, Vol.46 (5), p.859-864
1999
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A 0.1 to 2.7‐GHz SOI SP8T antenna switch adopting body self‐adapting bias technique for low‐loss high‐power applications
International journal of circuit theory and applications, 2018-04, Vol.46 (4), p.827-841
2018
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0.1 μm AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistor fabrication by the new method of thinned resist pattern reversed by metal
Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 1996-09, Vol.14 (5), p.3248-3251
1996
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0.13 \mu m SiGe BiCMOS Technology Fully Dedicated to mm-Wave Applications
IEEE journal of solid-state circuits, 2009-09, Vol.44 (9), p.2312-2321
2009
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A 0.13- mu m implementation of 5 Gb/s and 3-mW folded parallel architecture for AES algorithm
International journal of electronics, 2014-02, Vol.101 (2), p.182-193
2014
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A 0.14 THz Angular Radial Extended Interaction Oscillator
IEEE transactions on electron devices, 2022-03, Vol.69 (3), p.1468-1473
2022
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Open Access
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A ±0.15 °C (3σ) Inaccuracy CMOS Smart Temperature Sensor from −40 °C to 125 °C with a 10 ms Conversion Time-Leveraging an Adaptative Decimation Filter in 65 nm CMOS Technology
Electronics (Basel), 2024-07, Vol.13 (14), p.2823
2024
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0.15 μm GaAs MESFETs applied to ultrahigh-speed static frequency dividers
Electronics letters, 1989, Vol.25 (8), p.512-513
1989
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A 0.17-1.4GHz low-jitter all digital DLL with TDC-based DCC using pulse width detection scheme
ESSCIRC 2008 - 34th European Solid-State Circuits Conference, 2008, p.82-85
2008
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A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels
Electronics (Basel), 2022-08, Vol.11 (16), p.2525
2022
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0.18 dB Low-Noise Figure at 10 GHz for GaN MIS-HEMT With Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition SiN Layer
IEEE electron device letters, 2023-07, Vol.44 (7), p.1080-1083
2023
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A 0.18- mu m CMOS 3.5-gb/s continuous-time adaptive cable equalizer using enhanced low-frequency gain control method
IEEE journal of solid-state circuits, 2004-03, Vol.39 (3)
2004
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A 0.18-μm CMOS front-end processor for a Blu-Ray Disc recorder with an adaptive PRML
IEEE journal of solid-state circuits, 2005, Vol.40 (1), p.342-350
2005
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A 0.18μm CMOS low-power radiation sensor for UWB wireless transmission
Journal of instrumentation, 2012-12, Vol.7 (12), p.1-8, Article C12019
2012
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A 0.18 μm CMOS X-Band Low Noise Amplifier for Space Applications
2017 New Generation of CAS (NGCAS), 2017, p.205-208
2017
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A 0.18 μm CMOS Millimeter Wave Antenna-on-Chip with Artificial Magnetic Conductor Design
Inventions (Basel), 2023-06, Vol.8 (3), p.78
2023
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A 0.2-3.3 GHz 2.4 dB NF 45 dB Gain Current-Mode Front-End for SAW-less Receivers in 180 nm CMOS
2019 8th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2019, p.1-3
2019
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  • BibTeX
A ± 0.2 V, 0.12 μW CCTA USING VTMOS AND AN APPLICATION FRACTIONAL-ORDER UNIVERSAL FILTER
Journal of circuits, systems, and computers, 2014-10, Vol.23 (9), p.1450126
2014
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A 0.2-V 10-Bit 5-kHz SAR ADC With Dynamic Bulk Biasing and Ultra-Low-Supply-Voltage Comparator
IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2023-07, Vol.70 (7), p.1-12
2023
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A 0.2 V Micro‐Electromechanical Switch Enabled by a Phase Transition
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2018-04, Vol.14 (14), p.e1703621-n/a
2018
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A 0.22–26.5-GHz Ultra-Wideband Directional Coupler Based on Copper Additive Manufacturing
IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2023-08, Vol.70 (8), p.2869-2873
2023
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