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Relationship Between Basal Plane Dislocation Distribution and Local Basal Plane Bending in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2020-06, Vol.49 (6), p.3455-3464
2020
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Synchrotron X-ray Topography Studies of Dislocation Behavior During Early Stages of PVT Growth of 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2021-06, Vol.50 (6), p.3258-3265
2021
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Synchrotron X-Ray Topography Study on the Relationship between Local Basal Plane Bending and Basal Plane Dislocations in PVT-Grown 4H-SiC Substrate Wafers
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.393-400
2020
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Prismatic Slip in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2017-04, Vol.46 (4), p.2040-2044
2017
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Progress in Bulk 4H SiC Crystal Growth for 150 mm Wafer Production
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.37-43
2020
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Investigation of Dislocation Behavior at the Early Stage of PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.44-50
2020
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Impact of Subsurface Damage on SiC Wafer Shape
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.530-533
2019
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Effects of anneals in ammonia on the interface trap density near the band edges in 4H–silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors
Applied physics letters, 2000-11, Vol.77 (22), p.3601-3603
2000
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Influence of Dopant Concentration on Dislocation Distributions in 150mm 4H SiC Wafers
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.60-63
2019
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Homoepitaxial Chemical Vapor Deposition of up to 150 μm Thick 4H-SiC Epilayers in a 10×100 mm Batch Reactor
Materials science forum, 2016-05, Vol.858, p.129-132
2016
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  • BibTeX
Free carrier distribution profiling of 4H-SiC substrates using a commercial optical scanner
Journal of applied physics, 2007-05, Vol.101 (9), p.093506-093506-7
2007
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The effects of high-dose gamma irradiation on high-voltage 4H-SiC Schottky diodes and the SiC-SiO2 interface
IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.2229-2232
2001
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The effects of NO passivation on the radiation response of SiO2/4H-SiC MOS capacitors
Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2231-2235
2002
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  • BibTeX
The effects of high-dose gamma irradiation on high-voltage 4H-SiCSchottky diodes and the SiC-SiO)2) interface
IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.2229-2232
2001
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A comparative study of micropipe decoration and counting in conductive and semi-insulating silicon carbide wafers
Journal of electronic materials, 2005-10, Vol.34 (10), p.1342-1348
2005
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The effects of high-dose gamma irradiation on high-voltage 4H-SiC Schottky diodes and the SiC-SiO sub(2) interface
IEEE transactions on nuclear science, 2001-01, Vol.48 (6)
2001
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  • BibTeX
SiC Substrate Doping Profiles Using Commercial Optical Scanners
Materials science forum, 2006-01, Vol.527-529, p.725-728
2006
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The effects of high-dose gamma irradiation on high-voltage 4H-SiC Schottky diodes and the SiC-SiO/sub 2/ interface
IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.2229-2232
2001
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The effects of NO passivation on the radiation response of SiO 2/4H-SiC MOS capacitors
Solid-state electronics, 2002, Vol.46 (12), p.2231-2235
2002
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Electrical Characterization of Laser-Irradiated 4H-SiC Wafer
MRS proceedings, 2002, Vol.719, Article F3.2
2002
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