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Effects of anneals in ammonia on the interface trap density near the band edges in 4H–silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitors
Applied physics letters, 2000-11, Vol.77 (22), p.3601-3603
2000
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The effects of high-dose gamma irradiation on high-voltage 4H-SiC Schottky diodes and the SiC-SiO/sub 2/ interface
IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.2229-2232
2001
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Prismatic Slip in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2017-04, Vol.46 (4), p.2040-2044
2017
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Relationship Between Basal Plane Dislocation Distribution and Local Basal Plane Bending in PVT-Grown 4H-SiC Crystals
Journal of electronic materials, 2020-06, Vol.49 (6), p.3455-3464
2020
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Synchrotron X-Ray Topography Study on the Relationship between Local Basal Plane Bending and Basal Plane Dislocations in PVT-Grown 4H-SiC Substrate Wafers
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.393-400
2020
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Zeitschrift / SerieIeee Transactions On Electron Devices
SpracheJapanisch
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