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Conjugated Polymer Synthesis via Catalyst-Transfer Polycondensation (CTP): Mechanism, Scope, and Applications
Macromolecules, 2013-11, Vol.46 (21), p.8395-8405
2013
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High internal quantum efficiency in AlGaN multiple quantum wells grown on bulk AlN substrates
Applied physics letters, 2015-04, Vol.106 (14)
2015
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Doping and compensation in Al-rich AlGaN grown on single crystal AlN and sapphire by MOCVD
Applied physics letters, 2018-02, Vol.112 (6)
2018
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On compensation in Si-doped AlN
Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (15)
2018
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The effect of polarity and surface states on the Fermi level at III-nitride surfaces
Journal of applied physics, 2014-09, Vol.116 (12)
2014
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Chain-Growth Polymerization of Aryl Grignards Initiated by a Stabilized NHC-Pd Precatalyst
Macromolecular rapid communications., 2012-05, Vol.33 (9), p.842-847
2012
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Strain dependence on polarization properties of AlGaN and AlGaN-based ultraviolet lasers grown on AlN substrates
Applied physics letters, 2015-06, Vol.106 (23)
2015
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Charge neutrality levels, barrier heights, and band offsets at polar AlGaN
Applied physics letters, 2015-08, Vol.107 (9)
2015
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Electronic Biosensors Based on III-Nitride Semiconductors
Annual review of analytical chemistry (Palo Alto, Calif.), 2015-07, Vol.8 (1), p.149-169
2015
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On the origin of the 265 nm absorption band in AlN bulk crystals
Applied physics letters, 2012-05, Vol.100 (19)
2012
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Lasing and longitudinal cavity modes in photo-pumped deep ultraviolet AlGaN heterostructures
Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (17)
2013
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Vacancy compensation and related donor-acceptor pair recombination in bulk AlN
Applied physics letters, 2013-10, Vol.103 (16)
2013
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High free carrier concentration in p-GaN grown on AlN substrates
Applied physics letters, 2017-07, Vol.111 (3)
2017
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Stimulated emission and optical gain in AlGaN heterostructures grown on bulk AlN substrates
Journal of applied physics, 2014-03, Vol.115 (10)
2014
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Fermi level control of compensating point defects during metalorganic chemical vapor deposition growth of Si-doped AlGaN
Applied physics letters, 2014-12, Vol.105 (22), p.222101
2014
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Homoepitaxial AlN thin films deposited on m-plane (11¯00) AlN substrates by metalorganic chemical vapor deposition
Journal of applied physics, 2014-10, Vol.116 (13)
2014
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The role of the carbon-silicon complex in eliminating deep ultraviolet absorption in AlN
Applied physics letters, 2014-05, Vol.104 (20)
2014
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Schottky contact formation on polar and non-polar AlN
Journal of applied physics, 2014-11, Vol.116 (19)
2014
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Polarity control and growth of lateral polarity structures in AlN
Applied physics letters, 2013-05, Vol.102 (18)
2013
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Limitations of Using Small Molecules to Identify Catalyst-Transfer Polycondensation Reactions
ACS macro letters, 2016-01, Vol.5 (1), p.69-72
2016
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Nonlinear analysis of vanadium- and titanium-based contacts to Al-rich n-AlGaN
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-10, Vol.56 (10), p.100302
2017
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Sapphire decomposition and inversion domains in N-polar aluminum nitride
Applied physics letters, 2014-01, Vol.104 (3)
2014
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A conduction model for contacts to Si-doped AlGaN grown on sapphire and single-crystalline AlN
Journal of applied physics, 2015-06, Vol.117 (24)
2015
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Exciton transitions and oxygen as a donor in m -plane AlN homoepitaxial films
Journal of applied physics, 2014-04, Vol.115 (13)
2014
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Compensation effects in GaN:Mg probed by Raman spectroscopy and photoluminescence measurements
Journal of applied physics, 2013-03, Vol.113 (10)
2013
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