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Positive Charge in SOS Heterostructures with Interlayer Silicon Oxide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-10, Vol.52 (10), p.1341-1348
2018
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Thermoelectric Properties of Cobalt Monosilicide and Its Alloys
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-05, Vol.53 (5), p.667-672
2019
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Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-12, Vol.51 (12), p.1562-1570
2017
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Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO2(Y) Based Memristors
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-12, Vol.54 (14), p.1830-1832
2020
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Asymmetric Magnetoimpedance in Ferromagnetic Biphase Films: Effects of Magnetostatic Coupling and Number of Layers
Journal of superconductivity and novel magnetism, 2017-09, Vol.30 (9), p.2569-2574
2017
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Evolution of the photoresponse time of the GaAs/AlGaAs cyclotron resonance quantum Hall effect detector
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-02, Vol.43 (2), p.223-227
2009
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Segregation of Sb in Ge epitaxial layers and its usage for the selective doping of Ge-based structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-11, Vol.49 (11), p.1405-1409
2015
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Experimental study of frequency multipliers based on a GaAs/AlAs semiconductor superlattices in the terahertz frequency range
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-01, Vol.46 (1), p.121-125
2012
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Long-wavelength injection lasers based on Pb1–xSnxSe alloys and their use in solid-state spectroscopy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-12, Vol.49 (12), p.1623-1626
2015
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Specific features of the spectra and relaxation kinetics of long-wavelength photoconductivity in narrow-gap HgCdTe epitaxial films and heterostructures with quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-11, Vol.47 (11), p.1438-1441
2013
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Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-07, Vol.50 (7), p.915-919
2016
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Specific features of the nonradiative relaxation of Er3+ ions in epitaxial Si structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-12, Vol.48 (12), p.1586-1591
2014
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Features of impurity photoconductivity in Si:Er/Si epitaxial diodes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-11, Vol.47 (11), p.1500-1503
2013
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Intraband photoconductivity induced by interband illumination in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-11, Vol.46 (11), p.1415-1417
2012
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Kinetics of terahertz photoconductivity in p-Ge under impurity breakdown conditions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-11, Vol.44 (11), p.1476-1479
2010
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High-resolution emission spectra of pulsed terahertz quantum-cascade lasers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-11, Vol.44 (11), p.1467-1471
2010
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Photoconductivity of InAs/GaAs structures with InAs nanoclusters in the near-infrared region
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-11, Vol.44 (11), p.1464-1466
2010
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Terahertz emission and photoconductivity in n-type GaAs/AlGaAs quantum wells: the role of resonant impurity states
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-11, Vol.44 (11), p.1394-1397
2010
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Resonance detection of terahertz radiation in submicrometer field-effect GaAs/AlGaAs transistors with two-dimensional electron gas
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-04, Vol.43 (4), p.528-531
2009
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Study of lifetimes and photoconductivity relaxation in heterostructures with HgxCd1 − xTe/CdyHg1 − yTe quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012, Vol.46 (11), p.1362-1366
2012
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Anodization of nanoscale Si layers in silicon-on-insulator structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-08, Vol.45 (8), p.1089-1093
2011
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Indirect interband transitions in graphite with a wide quasigap
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-09, Vol.44 (9), p.1170-1175
2010
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The morphology, electron structure, and optical properties of self-assembled silicon nanostructures on the surface of highly oriented pyrolytic graphite
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-01, Vol.45 (1), p.56-60
2011
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Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-04, Vol.52 (4), p.465-467
2018
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Effect of Optical Illumination on Resistive Switching in MOS Structures Based on ZrO2(Y) Films with Au Nanoparticles
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-09, Vol.55 (9), p.731-734
2021
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ThemaChemistry And Materials Science
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