Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Sortiert nach
Einfacher Volltextzugriff von (fast) überall
Installieren Sie die LibKey Nomad-Browsererweiterung und erhalten Sie von vielen Webseiten einfachen Zugriff auf lizenzierte Volltexte oder Open Access Publikationen. Mehr erfahren...
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Radiation Effects in AlGaN/GaN HEMTs
IEEE transactions on nuclear science, 2022-05, Vol.69 (5), p.1-1
2022
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
The Study of Displacement Damage in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Based on Experiment and Simulation Method
IEEE transactions on nuclear science, 2022-05, Vol.69 (5), p.1120-1126
2022
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Electrostatic Mechanisms Responsible for Device Degradation in Proton Irradiated AlGaN/AlN/GaN HEMTs
IEEE transactions on nuclear science, 2008-08, Vol.55 (4), p.2106-2112
2008
Volltextzugriff (PDF)
Open Access
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Total-Ionizing-Dose Effects at Ultra-High Doses in AlGaN/GaN HEMTs
IEEE transactions on nuclear science, 2023-01, p.1-1
2023
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Proton irradiation effects on GaN-based high electron-mobility transistors with Si-doped Al/sub x/Ga/sub 1-x/N and thick GaN cap Layers
IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3801-3806
2004
Volltextzugriff (PDF)
1 – 5 von 5
Suche als RSS-Feed
Aktive Filter
KollektionIngentaConnect Journals
ThemaEngineering
Zeitschrift / SerieIeee Transactions On Nuclear Science
ThemaModfets
Suchergebnisse filtern
Filter anzeigen