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Proposal for strained type II superlattice infrared detectors
Journal of applied physics, 1987-09, Vol.62 (6), p.2545-2548
1987
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Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth area
Journal of applied physics, 1989-03, Vol.65 (6), p.2220-2237
1989
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Optical investigation of highly strained InGaAs-GaAs multiple quantum wells
Journal of applied physics, 1987-10, Vol.62 (8), p.3366-3373
1987
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Asymmetries in dislocation densities, surface morphology, and strain of GaInAs/GaAs single heterolayers
Journal of applied physics, 1988-11, Vol.64 (10), p.4843-4852
1988
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Material properties of high-quality GaAs epitaxial layers grown on Si substrates
Journal of applied physics, 1986-09, Vol.60 (5), p.1640-1647
1986
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Structure and recombination in InGaAs/GaAs heterostructures
Journal of applied physics, 1988-02, Vol.63 (3), p.693-703
1988
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Dynamical x-ray diffraction from nonuniform crystalline films: application to x-ray rocking curve analysis
Journal of applied physics, 1986-06, Vol.59 (11), p.3743-3746
1986
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Strained-layer superlattices from lattice mismatched materials
Journal of applied physics, 1982-03, Vol.53 (3), p.1586-1589
1982
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A comparative study of phase stability and film morphology in thin-film M/GaAs systems (M=Co, Rh, Ir, Ni, Pd, and PT)
Journal of applied physics, 1987-09, Vol.62 (5), p.2070-2079
1987
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Growth and properties of GaAs/AlGaAs on nonpolar substrates using molecular beam epitaxy
Journal of applied physics, 1985-07, Vol.58 (1), p.374-381
1985
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Magnetotransport: an ideal probe of anisotropy energies in epitaxial films (invited)
Journal of applied physics, 1988-04, Vol.63 (8), p.4270-4275
1988
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Minority-carrier lifetimes and internal quantum efficiency of surface-free GaAs
Journal of applied physics, 1978-12, Vol.49 (12), p.6103-6108
1978
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Temperature distribution along the striped active region in high-power GaAlAs visible lasers
Journal of applied physics, 1985-08, Vol.58 (3), p.1124-1128
1985
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Fast-Fourier-transform based beam-propagation model for stripe-geometry semiconductor lasers: inclusion of axial effects
Journal of applied physics, 1984-12, Vol.56 (11), p.3100-3109
1984
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Ion implantation damage and annealing in InAs, GaSb, and GaP
Journal of applied physics, 1988-07, Vol.64 (2), p.629-636
1988
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Dislocation density reduction through annihilation in lattice-mismatched semiconductors grown by molecular-beam epitaxy
Journal of applied physics, 1988-06, Vol.63 (11), p.5609-5611
1988
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Revised role for the Poole-Frenkel effect in deep-level characterization
Journal of applied physics, 1988-07, Vol.64 (2), p.958-961
1988
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Spectral dependence of the change in refractive index due to carrier injection in GaAs lasers
Journal of applied physics, 1981-07, Vol.52 (7), p.4457-4461
1981
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Interference effects probed by photoreflectance spectroscopy
Journal of applied physics, 1989-07, Vol.66 (1), p.358-361
1989
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Measurement of gain and absorption spectra in AlGaAs buried heterostructure lasers
Journal of applied physics, 1980-06, Vol.51 (6), p.3042-3050
1980
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Infrared photoluminescence of InAs epilayers grown on GaAs and Si substrates
Journal of applied physics, 1989-05, Vol.65 (10), p.4079-4081
1989
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Interface structures during solid-phase-epitaxial growth in ion implanted semiconductors and a crystallization model
Journal of applied physics, 1982-12, Vol.53 (12), p.8607-8614
1982
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Shallow donors and D-X centers neutralization by atomic hydrogen in GaAlAs doped with silicon
Journal of applied physics, 1988-07, Vol.64 (1), p.207-210
1988
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Calculated spectral dependence of gain in excited GaAs
Journal of applied physics, 1976-12, Vol.47 (12), p.5382-5386
1976
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Calculation of Auger rates in a quantum well structure and its application to InGaAsP quantum well lasers
Journal of applied physics, 1983-03, Vol.54 (3), p.1236-1245
1983
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