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Solid-state electronics, 1995, Vol.38 (9), p.1607-1610
1995

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Junction heterostructures for high performance electronics
Ist Teil von
  • Solid-state electronics, 1995, Vol.38 (9), p.1607-1610
Ort / Verlag
Oxford: Elsevier Ltd
Erscheinungsjahr
1995
Link zum Volltext
Quelle
Elsevier ScienceDirect Journals
Beschreibungen/Notizen
  • The exploding market in mm-wave wireless communications market requires a simple transistor technology which: (i) exhibits high performance across a wide bias range to perform both transmit and receive operations; (ii) has high threshold uniformity to enable high density, high speed signal processing circuits; and (iii) has basic technological requirements which is relatively transparent to both commercially important materials, InP and GaAs. The heterojunction transistor technology presented here satisfies these requirements.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0038-1101
eISSN: 1879-2405
DOI: 10.1016/0038-1101(95)00062-X
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_27406465

Weiterführende Literatur

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