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Exciton capture cross sections of indium and boron impurities in silicon
Ist Teil von
Solid state communications, 1980-12, Vol.36 (12), p.1039-1045
Ort / Verlag
Elsevier Ltd
Erscheinungsjahr
1980
Link zum Volltext
Quelle
Elsevier Journal Backfiles on ScienceDirect (DFG Nationallizenzen)
Beschreibungen/Notizen
Measurements have been made of the decay rates and intensity ratios of photoluminescence lines from Si:In, B. We deduce values for the In and B exciton capture cross sections in the temperature range 3.6 − 5.9 K. The large difference between the In and B cross sections is discussed in terms of excited states of the In bound exciton.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0038-1098
eISSN: 1879-2766
DOI: 10.1016/0038-1098(80)90033-2
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_23944312
Format
–
Weiterführende Literatur
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