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Physical review. B, Condensed matter, 2000-10, Vol.62 (16), p.R10649-R10652
2000

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Epitaxial growth of Cu on Cu(001): Experiments and simulations
Ist Teil von
  • Physical review. B, Condensed matter, 2000-10, Vol.62 (16), p.R10649-R10652
Ort / Verlag
United States: The American Physical Society
Erscheinungsjahr
2000
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • A quantitative comparison between experimental and Monte Carlo simulation results for the epitaxial growth of Cu/Cu(001) in the submonolayer regime is presented. The simulations take into account a complete set of hopping processes whose activation energies are derived from semiempirical calculations using the embedded-atom method. The island separation is measured as a function of the incoming flux and the temperature. A good quantitative agreement between the experiment and simulation is found for the island separation, the activation energies for the dominant processes, and the exponents that characterize the growth. The simulation results are then analyzed at lower coverages, which are not accessible experimentally, providing good agreement with theoretical predictions as well.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0163-1829
eISSN: 1095-3795
DOI: 10.1103/PhysRevB.62.R10649
Titel-ID: cdi_osti_scitechconnect_40205625

Weiterführende Literatur

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