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High Power GaN-Based Blue Superluminescent Diode Exceeding 450 mW
2018 IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2018, p.1-2
2018

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
High Power GaN-Based Blue Superluminescent Diode Exceeding 450 mW
Ist Teil von
  • 2018 IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2018, p.1-2
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2018
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • We demonstrate a high-power blue emitting superluminescent diode (SLD) with a tilted-facet configuration. An optical power of457 mW with a broad spectral bandwidth of 6.5 nm was obtained under pulsed current injection of 1A, leading to a large power-bandwidth product of ∼2970 mW-nm.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 1947-6981
DOI: 10.1109/ISLC.2018.8516200
Titel-ID: cdi_ieee_primary_8516200
Format
–
Schlagworte
amplified spontaneous emission (ASE), gallium nitride, laser diode, Optical fibers, Optical variables measurement, Stimulated emission, superluminescent diode (SLD), Superluminescent diodes

Weiterführende Literatur

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