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Charge Carrier Traffic at Self-Assembled Ge Quantum Dots on Si
Ist Teil von
2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012, p.1-2
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2012
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
In this paper the voltage dependent occupation of states and their filling dynamics is investigated in two terminal device structures (Schottky barrier diode, p/n junction) by capacitance voltage (C-V) and deep level transient spectroscopy (DLTS) methods. Frequency scanned DLTS (FS-DLTS) was used, where the DLTS signal at a constant temperature is measured as a function of the repetition frequency of electrical pulses, f, with the emission voltage of the pulses, VR, as a parameter.