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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
CDF run IIb silicon detector: the innermost layer
Ist Teil von
  • IEEE transactions on nuclear science, 2004-10, Vol.51 (5), p.2215-2219
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2004
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
  • The innermost layer (L00) of the Run IIa silicon detector of CDF was planned to be replaced for the high luminosity Tevatron upgrade of Run IIb. This new silicon layer (L0) is designed to be a radiation tolerant replacement for the otherwise very similar L00 from Run IIa. The data are read out via long, fine-pitch, low-mass cables allowing the hybrids with the chips to sit at higher z(/spl sim/70 cm), outside of the tracking volume. The design and first results from the prototyping phase are presented. Special focus is placed on the amount and the structure of induced noise as well as signal-to-noise values.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9499
eISSN: 1558-1578
DOI: 10.1109/TNS.2004.835876
Titel-ID: cdi_ieee_primary_1344312

Weiterführende Literatur

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