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We present a detailed study of the below band-gap optical absorption at room temperature in bulk semi-insulating GaN:Fe versus the Fe-doping. It was established that the 1.24 eV photoluminescence band at 300K consists of only vibrational replicas of the Fe
3+ 4
T
1
(G)→
6
A
1
(S) internal transition. We also studied the below band-gap photoluminescence excitation of the 1.24eV band. The identical exponential rise of the photoluminescence excitation and the optical absorption coefficient identify the Fe
3+/2+
charge-transfer as the main contributor to the 300K optical absorption in the range 400-500nm. Practical implications of these results for Fe-doping determination are discussed.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.3678195
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1063_1_3678195
Format
–
Weiterführende Literatur
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