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Mobility enhancement of tin oxide thin-film transistor by indium-doping
Vacuum, 2024-03, Vol.221, p.112868, Article 112868
2024

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Mobility enhancement of tin oxide thin-film transistor by indium-doping
Ist Teil von
  • Vacuum, 2024-03, Vol.221, p.112868, Article 112868
Erscheinungsjahr
2024
Link zum Volltext
Quelle
Elsevier ScienceDirect Journals Complete
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0042-207X
eISSN: 1879-2715
DOI: 10.1016/j.vacuum.2023.112868
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1016_j_vacuum_2023_112868
Format
–

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