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The effects of NO passivation on the radiation response of SiO2/4H-SiC MOS capacitors
Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2231-2235
2002

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
The effects of NO passivation on the radiation response of SiO2/4H-SiC MOS capacitors
Ist Teil von
  • Solid-state electronics, 2002-12, Vol.46 (12), p.2231-2235
Erscheinungsjahr
2002
Link zum Volltext
Quelle
Elsevier Journal Backfiles on ScienceDirect (DFG Nationallizenzen)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0038-1101
eISSN: 1879-2405
DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00236-8
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1016_S0038_1101_02_00236_8
Format
–

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