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Impact of Electron–Phonon Scattering on Optical Properties of CH3NH3PbI3 Hybrid Perovskite Material
ACS omega, 2019-12, Vol.4 (25), p.21487-21493
2019
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Physically based Diagonal Treatment of the Self-Energy of Polar Optical Phonons: Performance Assessment of III-V Double-Gate Transistors
Physical review applied, 2018-12, Vol.10 (6), Article 064023
2018
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Effective-mass approach for n-type semiconductor nanowire MOSFETs arbitrarily oriented
Nanotechnology, 2007-06, Vol.18 (25), p.255201-255201 (6)
2007
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Theoretical comparison of Si, Ge, and GaAs ultrathin p-type double-gate metal oxide semiconductor transistors
Journal of applied physics, 2013-08, Vol.114 (8)
2013
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Influence of the interface-induced electron self-energy on the subthreshold characteristics of silicon gate-all-around nanowire transistors
Applied physics letters, 2010-12, Vol.97 (25), p.252109-252109-3
2010
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Excitonic and quasiparticle gaps in Si nanocrystals
Physical review letters, 2000-03, Vol.84 (11), p.2457-2460
2000
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Dual-Gated WTe 2 /MoSe 2 van der Waals Tandem Solar Cells
Journal of physical chemistry. C, 2018-12, Vol.122 (50), p.28545-28549
2018
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Dual-Gated WTe2/MoSe2 van der Waals Tandem Solar Cells
Journal of physical chemistry. C, 2018-12, Vol.122 (50), p.28545-28549
2018
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Confinement effects and tunnelling through quantum dots
Philosophical transactions of the Royal Society of London. Series A: Mathematical, physical, and engineering sciences, 2003-02, Vol.361 (1803), p.259-273
2003
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Quantum confinement in germanium nanocrystals
Applied physics letters, 2000-08, Vol.77 (8), p.1182-1184
2000
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Quantum Treatment of Inelastic Interactions for the Modeling of Nanowire Field-Effect Transistors
Materials, 2020-01, Vol.13 (1), p.60
2020
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Modeling of phonon scattering in n-type nanowire transistors using one-shot analytic continuation technique
Journal of applied physics, 2013-10, Vol.114 (15)
2013
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Theoretical Demonstration of Hot-Carrier Operation in an Ultrathin Solar Cell
Physical review applied, 2022-06, Vol.17 (6), Article 064001
2022
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Theoretical demonstration of a hot-carrier effect in ultra-thin solar-cell
Physical review applied, 2022-06, Vol.17 (6)
2022
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Towards a full microscopic approach to the modeling of transistors with nanometer dimensions
Journal of non-crystalline solids, 2003-07, Vol.322 (1), p.160-167
2003
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Method for tight-binding parametrization: Application to silicon nanostructures
Physical review. B, Condensed matter, 2000-08, Vol.62 (8), p.5109-5116
2000
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Health related quality of life, physical fitness and physical activity participation in treatment-seeking obese persons with and without binge eating disorder
Psychiatry research, 2014-04, Vol.216 (1), p.97-102
2014
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Carrier injection engineering in nanowire transistors via dopant and shape monitoring of the access regions
Applied physics letters, 2015-10, Vol.107 (15)
2015
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One-shot current conserving quantum transport modeling of phonon scattering in n-type double-gate field-effect-transistors
Applied physics letters, 2013-01, Vol.102 (1), p.13508
2013
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Universality of optical absorptance quantization in two-dimensional group-IV, III-V, II-VI, and IV-VI semiconductors
Physical review. B, 2022-01, Vol.105 (3), Article 035421
2022
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Optimized Operation of Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cells Deduced from Electronic Transport Modeling
Physical review applied, 2020-04, Vol.13 (4), Article 044035
2020
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Dimensionality-dependent self-energy corrections and exchange-correlation potential in semiconductor nanostructures
Physical review letters, 2003-02, Vol.90 (7), p.076803-076803, Article 076803
2003
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The functional exercise capacity and its correlates in obese treatment-seeking people with binge eating disorder: an exploratory study
Disability and rehabilitation, 2015-01, Vol.37 (9), p.777-782
2015
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Physically based Diagonal Treatment of Polar Optical Phonons Self-Energy: Performance Assessment of III-V Double-Gate Transistors
Physical review applied, 2018-12, Vol.10 (6)
2018
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Modeling high-concentration boron diffusion under amorphization conditions
Journal of applied physics, 1995-06, Vol.77 (11), p.5630-5641
1995
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