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Preparation of Monodisperse, Submicrometer Carbon Spheres by Pyrolysis of Melamine-Formaldehyde Resin
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2006-07, Vol.2 (7), p.859-863
2006
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Alternative Routes to Porous Silicon Carbide
MRS proceedings, 2008, Vol.1069, Article 1069-D01-03
2008
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Bottom-Up Routes to Porous Silicon Carbide
Materials science forum, 2009-01, Vol.615-617, p.637-640
2009
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Sol-Gel Silicon Carbide for Photonic Applications
Materials science forum, 2006-01, Vol.527-529, p.759-762
2006
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Surface-related defects of ZnO micro and nano crystals prepared by sol-gel technique
Physica status solidi. C, 2013-02, Vol.10 (2), p.221-226
2013
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Defects in Insulating Materials
Physica status solidi. C, 2013-02, Vol.10 (2), p.150-152
2013
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Luminescence and EPR Characterization of Vanadium Doped Semi-Insulating 4H SiC
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.651-654
2006
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An Algorithm for Tailoring of Nanoparticles by Double Angle Resolved Nanosphere Lithography
MRS proceedings, 2015, Vol.1748 (1), p.32-37, Article mrsf14-1748-ii11-25
2015
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Preparation of monodisperse, submicrometer carbon spheres by pyrolysls of melamine-formaldehyde resin
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2006-07, Vol.2 (7), p.859-863
2006
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Open Access
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Fabrication of tailored nanoantennas on large areas for plasmonic devices
Materials today : proceedings, 2017, Vol.4, p.S44-S51
2017
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Fine Structure of Triplet Centers in Room Temperature Irradiated 6H-SiC
Materials science forum, 2010-01, Vol.645-648, p.403-406
2010
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Textile Solar Cells Based on SiC Microwires
Materials science forum, 2009-01, Vol.615-617, p.239-242
2009
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Spherical Carbon Nanostructures - A Versatile Material for Sensing and Energy Storage
MRS proceedings, 2006, Vol.951, Article 0951-E06-27
2006
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Wide Bandgap Semiconductors - Nanowires of p- and n-type Silicon Carbide
MRS proceedings, 2006, Vol.963, Article 0963-Q15-10
2006
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Nitrogen Donor Aggregation in 4H-SiC: g-Tensor Calculations
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.391-394
2007
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Spin-Coupling in Heavily Nitrogen-Doped 4H-SiC
Materials science forum, 2009-01, Vol.615-617, p.343-346
2009
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New Aspects in n-type Doping of SiC with Phosphorus
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.609-612
2006
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  • BibTeX
EPR, ESE and Pulsed ENDOR Study of Nitrogen Related Centers in 4H-SiC Wafers Grown by Different Technologies
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.355-358
2007
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New Insight in Scandium-Mediated Growth Techniques: Sc-Related Defects in 4H-SiC and 6H-SiC
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.469-472
2007
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Possible Role of Hydrogen within the So-Called X Center in Semi-Insulating 4H-SiC
Materials science forum, 2006-01, Vol.527-529, p.559-562
2006
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Carbon Related Split-Interstitials in Electron-Irradiated n-type 6H-SiC
Materials science forum, 2006-01, Vol.527-529, p.551-554
2006
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Trapping Recombination Process and Persistent Photoconductivity in Semi-Insulating 4H SiC
Materials science forum, 2006-01, Vol.527-529, p.563-566
2006
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A New Model for the DI-Luminescence in 6H-SiC
Materials Science Forum, 2005-05, Vol.483-485, p.465-468
2005
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Growth of Phosphorus-Doped 6H-SiC Single Crystals by the Modified Lely Method
Materials science forum, 2003, Vol.433-436, p.63-66
2003
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The VSiCSi(SiCCSi) Complex in Electron-Irradiated 6H-SiC
Materials Science Forum, 2005-01, Vol.483-485, p.477-480
2005
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