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A Novel Approach to Inactivate the Body p-i-n Diode of SiC MOSFET by Using the Normally-OFF JFET
IEEE transactions on electron devices, 2021-04, Vol.68 (4), p.1784-1790
2021
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SiC Double-Trench MOSFETs With Embedded MOS-Channel Diode
IEEE transactions on electron devices, 2020-02, Vol.67 (2), p.582-587
2020
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Single-Event Effects in SiC Double-Trench MOSFETs
IEEE transactions on nuclear science, 2019-11, Vol.66 (11), p.2312-2318
2019
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Low leakage current and high unipolar current density in a 4H-SiC trench gate MOSFET with integrated Schottky barrier diode
2020 17th China International Forum on Solid State Lighting & 2020 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS), 2020, p.58-62
2020
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