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2020
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IEEE transactions on power electronics, 2019-03, Vol.34 (3), p.2726-2738
2019
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IEEE transactions on electron devices, 2017-09, Vol.64 (9), p.3719-3724
2017
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Electronics letters, 2019-10, Vol.55 (20), p.1082-1084
2019
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IET circuits, devices & systems, 2020-11, Vol.14 (8), p.1283-1288
2020
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IET power electronics, 2018-04, Vol.11 (4), p.695-699
2018
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IEEE transactions on electron devices, 2009, Vol.56 (11), p.2825-2832
2009
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Electronics letters, 2013-01, Vol.49 (3), p.219-220
2013
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Materials science forum, 2023-05, Vol.1088, p.33-40
2023
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IEEE transactions on power delivery, 2024-08, p.1-13
2024
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IEEE transactions on power electronics, 2021-10, Vol.36 (10), p.10959-10964
2021
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Materials science forum, 2007-09, Vol.556-557, p.375-378
2007
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IEEE transactions on power electronics, 2022-06, Vol.37 (6), p.6939-6950
2022
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IEEE transactions on power electronics, 2019-12, Vol.34 (12), p.11952-11963
2019
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IEEE transactions on power electronics, 2024-08, p.1-6
2024
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IEEE transactions on power electronics, 2023-11, Vol.38 (11), p.1-12
2023
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IEEE electron device letters, 2024-06, Vol.45 (6), p.1064-1067
2024
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IEEE transactions on power electronics, 2021-11, Vol.36 (11), p.12213-12217
2021
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New Power MOSFET with Beyond-1D-Limit RSP-BV Trade-Off and Superior Reverse Recovery Characteristics
2020
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IEEE transactions on electron devices, 2024-04, Vol.71 (4), p.2517-2523
2024
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IEEE electron device letters, 2023-01, Vol.44 (1), p.108-111
2023
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IEEE transactions on electron devices, 2023-12, Vol.70 (12), p.6138-6143
2023
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IEEE electron device letters, 2022-12, Vol.43 (12), p.2145-2148
2022
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IEEE transactions on power electronics, 2022-05, Vol.37 (5), p.5574-5582
2022
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IEEE electron device letters, 2019-01, Vol.40 (1), p.79-82
2019
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