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Demonstration of a GaN-Based Vertical-Channel JFET Fabricated by Selective-Area Regrowth
IEEE transactions on electron devices, 2018-12, Vol.65 (12), p.5329-5336
2018
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Growth and Characterization of Vertical and Lateral p‐n Junctions Formed by Selective‐Area p‐GaN MOVPE on Patterned Templates
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2019-01, Vol.216 (2), p.n/a
2019
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Migration-Enhanced Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Wafer-Scale Fully Coalesced WS2 and WSe2 Monolayers
Crystal growth & design, 2023-03, Vol.23 (3), p.1547-1558
2023
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GaN Micropillar Schottky Diodes with High Breakdown Voltage Fabricated by Selective‐Area Growth
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-04, Vol.217 (7), p.n/a
2020
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Migration-Enhanced Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Wafer-Scale Fully Coalesced WS 2 and WSe 2 Monolayers
Crystal growth & design, 2023-03, Vol.23 (3), p.1547-1558
2023
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AlGaN/AlN-GaN-SL HEMTs with Multiple 2DEG Channels
Journal of electronic materials, 2015-05, Vol.44 (5), p.1263-1267
2015
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