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Controlling L-BTBT and Volume Depletion in Nanowire JLFETs Using Core-Shell Architecture

IEEE transactions on electron devices, 2016-09, Vol.63 (9), p.3790-3794

2016

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Corrosion mechanism of reduced activation ferritic martensitic steel JLF-1 in liquid metal Sn

Corrosion science, 2022-12, Vol.209, p.110748, Article 110748

2022

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SiGe/Si hetero nanotube JLFET for improved performance: proposal and investigation

Electronics letters, 2019-12, Vol.55 (25), p.1359-1361

2019

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RF with linearity and non-linearity parameter analysis of gate all around negative capacitance junction less FET (GAA-NC-JLFET) for different ferroelectric thickness

Physica scripta, 2022-10, Vol.97 (10), p.105809

2022

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Symmetric Operation in an Extended Back Gate JLFET for Scaling to the 5-nm Regime Considering Quantum Confinement Effects

IEEE transactions on electron devices, 2017-01, Vol.64 (1), p.21-27

2017

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A physics-based drain current model for Si1-xGex source/drain NT JLFET for enhanced hot carrier reliability with temperature measurement

Microelectronics, 2022-08, Vol.126, p.105501, Article 105501

2022

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Performance analysis of short channel effects immune JLFET with enhanced drive current

International journal of numerical modelling, 2023-11, Vol.36 (6)

2023

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Temperature-Dependent Analytical Modeling of Graded-Channel Gate-All-Around (GC-GAA) Junctionless Field-Effect Transistors (JLFETs)

Journal of electronic materials, 2021-06, Vol.50 (6), p.3686-3691

2021

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Thermoemission-Based Model of THz Detection and Its Validation-JLFET Case Studies

IEEE transactions on terahertz science and technology, 2022-11, Vol.12 (6), p.633-647

2022

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Radiation study of TFET and JLFET-based devices and circuits: a comprehensive review on the device structure and sensitivity

Radiation effects and defects in solids, 2023-03, Vol.178 (3-4), p.229-257

2023

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Parameteric optimization of SiGe S/D NT JLFET using analytical modeling to improve L‐BTBT induced GIDL

International journal of numerical modelling, 2024-03, Vol.37 (2), p.n/a

2024

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Electrochemical measurements of the corrosion of pure Fe and JLF-1 steel in HF-containing molten FLiNaK salt

Fusion engineering and design, 2021-01, Vol.162, p.112134, Article 112134

2021

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Development of the brazing technique of W and JLF-1 by Ni-P filler material

Fusion engineering and design, 2021-09, Vol.170, p.112687, Article 112687

2021

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Aging Mechanism of p-Type Dopingless JLFET: NBTI and Channel-Hot-Carrier Stress

Transactions on electrical and electronic materials, 2023-04, Vol.24 (2), p.154-158

2023

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A temperature dependent drain current model of P+ SiC GAA JLFETs for enhanced analog/RF performance

Micro and Nanostructures, 2024-04, Vol.188, Article 207786

2024

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Analytical modelling and verification of potential profile of DG JLFET with and without stack oxide

International journal of electronics, 2021-05, Vol.108 (5), p.819-840

2021

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Noise and Device Parameters Sensitivity Analysis of Multi-Peak-Gaussian Doped 4H-SiC Junctionless FET (MG-4H-SiC-JLFET)

SILICON, 2022-10, Vol.14 (15), p.9833-9843

2022

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Compatibility of reduced activation ferritic martensitic steel JLF-1 with liquid metals Li and Pb–17Li

Fusion engineering and design, 2012-10, Vol.87 (10), p.1777-1787

2012

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Microscopic Corrosion Process and Electrochemical Properties of JLF-1 Steel (Fe-9Cr-2W) in the Molten Salt LiF-NaF-KF

Fusion science and technology, 2021-11, Vol.77 (7-8), p.766-772

2021

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Design and Investigation of Split Gate Dielectric Modulated JLFET for Detection of Biological Molecule Using TCAD Simulation

SILICON, 2023-02, Vol.15 (3), p.1171-1179

2023

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Performance enhancement of core-shell JLFET by gate/dielectric engineering

International journal of electronics, 2020-06, Vol.107 (6), p.966-984

2020

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FIN Junctionless Field Effect Transistor (FIN-JLFET) with Ground Plane for Surpassing Parasitic BJT Action

SILICON, 2022-06, Vol.14 (9), p.4547-4555

2022

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Metallurgical study on corrosion of RAFM steel JLF-1 in Pb-Li alloys with various Li concentrations

Fusion engineering and design, 2017-12, Vol.125, p.316-325

2017

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Device physics and design of FD-SOI JLFET with step-gate-oxide structure to suppress GIDL effect

Chinese physics B, 2021-04, Vol.30 (4), p.47401

2021

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Impacts of core gate thickness and Ge content variation on the performance of Si1−xGex source/drain Si–nanotube JLFET

Journal of computational electronics, 2021-02, Vol.20 (1), p.237-247

2021

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