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Electrical properties of metal-insulator-semiconductor transistor structures based on MnxHg1-xTe films
Materials letters, 2001-06, Vol.49 (2), p.127-130
2001

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Electrical properties of metal-insulator-semiconductor transistor structures based on MnxHg1-xTe films
Ist Teil von
  • Materials letters, 2001-06, Vol.49 (2), p.127-130
Ort / Verlag
Amsterdam: Elsevier
Erscheinungsjahr
2001
Link zum Volltext
Quelle
Elsevier ScienceDirect Journals Complete
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0167-577X
eISSN: 1873-4979
DOI: 10.1016/S0167-577X(00)00355-4
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1016_S0167_577X_00_00355_4
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices, Transistors

Weiterführende Literatur

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