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High-performance undoped InP/n-In0.53Ga0.47As MSM photodetectors grown by LP-MOVPE
IEEE transactions on electron devices, 1992-05, Vol.39 (5), p.1028-1031
1992

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
High-performance undoped InP/n-In0.53Ga0.47As MSM photodetectors grown by LP-MOVPE
Ist Teil von
  • IEEE transactions on electron devices, 1992-05, Vol.39 (5), p.1028-1031
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
1992
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Xplore
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9383
eISSN: 1557-9646
DOI: 10.1109/16.129078
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_5298440
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Optoelectronic devices, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

Weiterführende Literatur

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