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RF Modeling of FDSOI Transistors Using Industry Standard BSIM-IMG Model
IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2016-06, Vol.64 (6), p.1745-1751
2016

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
RF Modeling of FDSOI Transistors Using Industry Standard BSIM-IMG Model
Ist Teil von
  • IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2016-06, Vol.64 (6), p.1745-1751
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2016
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • In this paper, RF modeling and step-by-step parameter extraction methodology of the BSIM-IMG model are discussed with experimental data. BSIM-IMG is the latest industry standard surface potential based model for fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) transistors. The impact of gate, substrate, and thermal networks is demonstrated with S-parameter data, which enable the BSIM-IMG model to capture RF behavior of the FDSOI transistor. The model is validated over a wide range of biases and frequencies and excellent agreement with the experimental data is obtained.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9480
eISSN: 1557-9670
DOI: 10.1109/TMTT.2016.2557327
Titel-ID: cdi_ieee_primary_7462299
Format
–
Schlagworte
BSIM-IMG, Capacitance, compact model, Data models, Depletion, fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI), Industry standards, Logic gates, Microwaves, Modelling, MOSFET, Networks, parameter extraction, Radio frequency, Resistance, Semiconductor devices, Substrates, Transaction processing, Transistors

Weiterführende Literatur

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