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Development of Back-Channel Etched In-W-Zn-O Thin-Film Transistors
Journal of display technology, 2016-03, Vol.12 (3), p.228-231
2016

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Development of Back-Channel Etched In-W-Zn-O Thin-Film Transistors
Ist Teil von
  • Journal of display technology, 2016-03, Vol.12 (3), p.228-231
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2016
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Xplore Digital Library
Beschreibungen/Notizen
  • Back-channel etched (BCE) thin-film transistors (TFTs) are developed using a novel oxide semiconducting material, In-W-Zn-O (IWZO). A bi-layer structure for the IWZO oxide semiconductor layer is proposed to realize both high resistance to back-channel etching damage and high TFT mobility. The developed IWZO BCE-TFTs exhibit high mobilities of up to 20.2 cm 2 /V·s.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1551-319X
eISSN: 1558-9323
DOI: 10.1109/JDT.2015.2445321
Titel-ID: cdi_ieee_primary_7123560
Format
–
Schlagworte
Back-channel etch, Broadcasting, Etching, In-W-Zn-O, Logic gates, oxide semiconductor, Periodic structures, Resistance, Sputtering, Thin film transistors, thin-film transistor (TFT)

Weiterführende Literatur

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