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2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2013, p.300-303
2013

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Globally hyperbolic moment method for BTE including phonon scattering
Ist Teil von
  • 2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2013, p.300-303
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2013
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • A globally hyperbolic high-order moment method of the Boltzmann transport equation (BTE) is proposed in [1], [2], and here it is extended for the BTE with the electron-phonon scattering term to simulate a silicon nano-wire (SNW). Convergence with respect to the order of the moment system and the characteristics of SNW including the I-V curve are studied.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9781467357333, 1467357332
ISSN: 1946-1569
eISSN: 1946-1577
DOI: 10.1109/SISPAD.2013.6650634
Titel-ID: cdi_ieee_primary_6650634

Weiterführende Literatur

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