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Low power consumption InAlAs-InGaAs-InP HBT SPDT PIN diode X-band switch
IEEE microwave and guided wave letters, 1993-10, Vol.3 (10), p.384-386
1993

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Low power consumption InAlAs-InGaAs-InP HBT SPDT PIN diode X-band switch
Ist Teil von
  • IEEE microwave and guided wave letters, 1993-10, Vol.3 (10), p.384-386
Ort / Verlag
New York, NY: IEEE
Erscheinungsjahr
1993
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Beschreibungen/Notizen
  • Results for the first monolithic single-pole, double-throw (SPDT) X-band PIN diode switch fabricated with InAlAs-InGaAs HBTs lattice matched to InP are reported. The switch achieves performance similar to that of a GaAs implementation but with half the power consumption. The insertion loss is 0.89 dB and the off-isolation is >35 dB at 10 GHz. The IP3 is 29.6 dBm and the total power consumption is 10.2 mW. Monolithic integration of PIN diodes with an InP-based HBT process provides monolithic switch functions for use in microwave and millimeter-wave communication systems.< >
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1051-8207
eISSN: 1558-2329
DOI: 10.1109/75.242270
Titel-ID: cdi_ieee_primary_242270
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Circuit properties, Communication switching, Electric, optical and optoelectronic circuits, Electronics, Energy consumption, Exact sciences and technology, Gallium arsenide, Heterojunction bipolar transistors, Indium phosphide, Insertion loss, Lattices, Microwave circuits, microwave integrated circuits, microwave transmission lines, submillimeter wave circuits, Millimeter wave communication, Monolithic integrated circuits, Switches

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