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Unique degradation under AC stress in high-mobility amorphous In–W–Zn–O thin-film transistors
Applied physics express, 2020-05, Vol.13 (5), p.54003
2020
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Unique degradation under AC stress in high-mobility amorphous In–W–Zn–O thin-film transistors
Ist Teil von
  • Applied physics express, 2020-05, Vol.13 (5), p.54003
Erscheinungsjahr
2020
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1882-0778
eISSN: 1882-0786
DOI: 10.35848/1882-0786/ab88c5
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_35848_1882_0786_ab88c5
Format
–

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