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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Mikrostruktur einer C/C-Cu Verbindung für Erste-Wand-Komponenten des ITER
Ist Teil von
  • Praktische Metallographie, 2007-09, Vol.44 (9), p.403-412
Erscheinungsjahr
2007
Beschreibungen/Notizen
  • Kurzfassung Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde eine von der Firma PLANSEE entwickelte C/C-Cu-Verbindung hinsichtlich der auftretenden Mikrostruktur der Grenzfläche untersucht. Die Kenntnis des Aufbaus der Verbindungszone ist essentiell für das Verständnis des mechanischen Verhaltens der Verbindung. Zum einen wurden daher die auftretenden Phasen mittels Röntgenspektroskopie analysiert, zum anderen wurde die Morphologie des Grenzflächenbereichs an Querschliffen im Rasterelektronenmikroskop untersucht. Es wurden dabei mit unterschiedlichen Herstellparametern gefertigte Proben analysiert. Es zeigt sich, dass abhängig vom Si-Gehalt, deutlich unterscheidbare Mikrostrukturen in der Verbindungszone C/C-Cu entstehen, die in weiterer Folge auch für das unterschiedliche mechanische Verhalten verantwortlich sind.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0032-678X
eISSN: 2195-8599
DOI: 10.3139/147.100353
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_3139_147_100353
Format

Weiterführende Literatur

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