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MRS proceedings, 2004, Vol.830, Article D6.19
2004
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
All-organic single-transistor permanent memory device
Ist Teil von
  • MRS proceedings, 2004, Vol.830, Article D6.19
Ort / Verlag
New York, USA: Cambridge University Press
Erscheinungsjahr
2004
Beschreibungen/Notizen
  • We present an all-organic permanent memory transistor using an amorphous spin-cast gate insulator. This gate insulator exhibits a remanent polarisation in its amorphous state, a unique property, which is best described as “ferroelectric-like”. The memory transistor thus built perform extremely well, even when compared to inorganic ferroelectric memory transistors; the memory “on” to memory “off” current ratio is close to 3×10-a4, while time-dependent studies show retention times of 14 hours and more.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0272-9172
eISSN: 1946-4274
DOI: 10.1557/PROC-830-D6.19
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1557_PROC_830_D6_19
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Weiterführende Literatur

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