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A Comprehensive Study of Short-Circuit Ruggedness of Silicon Carbide Power MOSFETs
IEEE journal of emerging and selected topics in power electronics, 2016-09, Vol.4 (3), p.978-987
2016

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A Comprehensive Study of Short-Circuit Ruggedness of Silicon Carbide Power MOSFETs
Ist Teil von
  • IEEE journal of emerging and selected topics in power electronics, 2016-09, Vol.4 (3), p.978-987
Ort / Verlag
Piscataway: IEEE
Erscheinungsjahr
2016
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Xplore (IEEE/IET Electronic Library - IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • The behavior of silicon carbide (SiC) power MOSFETs under stressful short-circuit (SC) conditions is investigated in this paper. Two different SC failure phenomena for SiC power MOSFETs are thoroughly reported. Experimental evidence and TCAD electrothermal simulations are exploited to describe and discriminate the failure sources. Physical causes are finally investigated and explained by means of properly calibrated numerical investigations and are reported along with their effects on devices' SC capability.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 2168-6777
eISSN: 2168-6785
DOI: 10.1109/JESTPE.2016.2563220
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1109_JESTPE_2016_2563220
Format
–
Schlagworte
Analytical models, Calibration, Computer simulation, Devices, Electronics, Failure, MOSFET, MOSFETs, Numerical models, Performance evaluation, Power electronics, Ruggedness, SC ruggedness, Short-circuit (SC) failure mechanism, Silicon carbide, silicon carbide (SiC) power MOSFETs, Temperature measurement, thermal runaway

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