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500 GHz GaAs MMIC sampling wafer probe
Electronics letters, 1993-03, Vol.29 (6), p.557-558
1993

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
500 GHz GaAs MMIC sampling wafer probe
Ist Teil von
  • Electronics letters, 1993-03, Vol.29 (6), p.557-558
Ort / Verlag
London: Institution of Electrical Engineers
Erscheinungsjahr
1993
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • A 500 GHz bandwidth GaAs MMIC sampling wafer probe is reported which incorporates a mechanical flexure and a micromachined GaAs IC for time domain on-wafer measurements. The GaAs IC incorporates a novel high speed pulse sharpener and a two-diode sampling bridge with a micromachined GaAs tip. (Author)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0013-5194
eISSN: 1350-911X
DOI: 10.1049/el:19930372
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1049_el_19930372
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Design. Technologies. Operation analysis. Testing, Electronics, Exact sciences and technology, Integrated circuits, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

Weiterführende Literatur

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