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In-situ biasing and temperature influence on the electric fields across GaAs based p-n junction via 4D STEM
Microscopy and microanalysis, 2021-08, Vol.27 (S1), p.2238-2239
2021

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
In-situ biasing and temperature influence on the electric fields across GaAs based p-n junction via 4D STEM
Ist Teil von
  • Microscopy and microanalysis, 2021-08, Vol.27 (S1), p.2238-2239
Ort / Verlag
New York, USA: Cambridge University Press
Erscheinungsjahr
2021
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1431-9276
eISSN: 1435-8115
DOI: 10.1017/S1431927621008072
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1017_S1431927621008072
Format
–
Schlagworte
Analytical Sciences Symposia, Electric fields, New Frontiers in In-Situ Electron Microscopy in Liquids and Gases (L&G EM FIG Sponsored), P-n junctions

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