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Es wird eine Schaltung beschrieben, die bei geringem Aufwand an elektrischen Bauelementen alle die Speicher - und Steuerfunktionen realisiert, welche für eine Speicherzelle erforderlich sind. Darüber hinaus wird gezeigt, daß diese Schaltung für monolithische Integration besonders geeignet ist, weil die Ansprüche an die Bauelemente gering sind und weil die schädlichen Auswirkungen der Trenndiffusions-Kapazitäten durch eine geeignete Betriebsweise der Zelle vollständig eliminiert werden können. Dadurch wird es möglich, in dieser Technik nicht nur einzelne Daten-Register sondern auch größere Speicherblöcke zu realisieren, die man in der Speicher-Terminologie unter “klein” (bis zu 10 000 bit) und “schnell” (Zykluszeiten von weniger als 20 nsec, Zugriffszeiten von weniger als 5 nsec) einordnen würde.
Expanding on the design of data registers, an integrated circuit is described, which provides a storage function and several gating functions at very low cost. Thus, it looks feasible to build high speed semiconductor memories which, of course, cost more than magnetic memories but much less than a bank of usual flip-flops. The circuit has been obtained from an original design and from suitable application of microelectronics.