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Applied physics. A, Materials science & processing, 2013, Vol.110 (1), p.153-156
2013
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Interaction of terahertz radiation with surface and interface plasmon–phonons in AlGaAs/GaAs and GaN/Al2O3 heterostructures
Ist Teil von
  • Applied physics. A, Materials science & processing, 2013, Vol.110 (1), p.153-156
Ort / Verlag
Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag
Erscheinungsjahr
2013
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
  • Surface phonon and plasmon–phonon polariton characteristics of GaAs, Al x Ga 1− x As/GaAs, and GaN/Al 2 O 3 layered structures are investigated by means of terahertz radiation reflection spectroscopy. The strong resonant absorption peaks and selective emission of the THz radiation dependent upon the lattice composition and free electron density in these layered structures are experimentally observed and analyzed.

Weiterführende Literatur

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