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Surface phonon and plasmon–phonon polariton characteristics of GaAs, Al
x
Ga
1−
x
As/GaAs, and GaN/Al
2
O
3
layered structures are investigated by means of terahertz radiation reflection spectroscopy. The strong resonant absorption peaks and selective emission of the THz radiation dependent upon the lattice composition and free electron density in these layered structures are experimentally observed and analyzed.