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BibTeX
Deep levels in bulk LEC single crystal IxGa1-xAs
Journal of electronic materials, 1991-02, Vol.20 (2), p.207-210
Bao, X. J.
Schlesinger, T. E.
Bonner, W. A.
Nahory, R. E.
Gilchrist, H. L.
Berry, E.
Beam, E. A.
Mahajan, S.
1991
Details
Autor(en) / Beteiligte
Bao, X. J.
Schlesinger, T. E.
Bonner, W. A.
Nahory, R. E.
Gilchrist, H. L.
Berry, E.
Beam, E. A.
Mahajan, S.
Titel
Deep levels in bulk LEC single crystal IxGa1-xAs
Ist Teil von
Journal of electronic materials, 1991-02, Vol.20 (2), p.207-210
Erscheinungsjahr
1991
Link zum Volltext
Quelle
SpringerLink
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0361-5235
eISSN: 1543-186X
DOI: 10.1007/BF02653325
Titel-ID: cdi_crossref_primary_10_1007_BF02653325
Format
–
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