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Autor(en)
Kong, Moufu
Artikel
A novel SiC high-k superjunction power MOSFET integrated Schottky barrier diode with improved forward and reverse performance
Titel
Journal of semiconductors
Seiten
52801-71
Band
44
Heft
5
Verlag
Chinese Institute of Electronics
Ort
Beijing
Erscheinungsjahr
2023
Identifikatoren
ISSN: 1674-4926; eISSN: 2058-6140
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