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Autor(en)

Hader, J

Artikel

Density-activated defect recombination as a possible explanation for the efficiency droop in GaN-based diodes

Titel

Applied physics letters

Seiten

221106-221106-3

Band

96

Heft

22

Verlag

AIP

Ort

Melville, NY

Erscheinungsjahr

2010

Identifikatoren

ISSN: 0003-6951; eISSN: 1077-3118

Volltextzugriff (PDF)

• Freie Ressource

  AIP Journals Complete

  Verfügbar von 1962 Band: 1 Heft: 1.;
• Freie Ressource

  EZB-NALIJ-00479 AIP Archive NL

  Verfügbar von 1962 Band: 1 bis 2013 Band: 103.;