Folgender Titel konnte gefunden werden

Autor(en)

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Artikel

Fringing-Induced Drain Current Improvement in the Tunnel Field-Effect Transistor With High- [Formula Omitted] Gate Dielectrics

Titel

IEEE transactions on electron devices a publication of the IEEE Electron Devices Society

Seiten

100-108

Band

56

Heft

1

Verlag

IEEE

Ort

New York, NY

Erscheinungsjahr

2009

Identifikatoren

ISSN: 0018-9383; eISSN: 1557-9646

Volltextzugriff (PDF)

• Freie Ressource

  IEEE Electronic Library (IEL)

  Verfügbar von 1963 Band: 10 Heft: 1.;
• Freie Ressource

  IEEE Electronic Library (IEL Online)

  Verfügbar von 1963 Band: 10 Heft: 1.;