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Autor(en)

Chen, Yi-Ho

Artikel

Enhancing the Performance of E-Mode AlGaN/GaN HEMTs With Recessed Gates Through Low-Damage Neutral Beam Etching and Post-Metallization Annealing

Titel

IEEE open journal of nanotechnology

Seiten

150-155

Band

4

Verlag

IEEE

Ort

New York, NY

Erscheinungsjahr

2023

Identifikatoren

ISSN: 2644-1292; eISSN: 2644-1292

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• Freie Ressource

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  Verfügbar von 2020 Band: 1.;