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Autor(en)
Won Jun Choi
Artikel
InAs/GaAs Quantum Dots grown by Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy (MEMBE) and the lasing characteristics of Quantum Dot Laser Diode Emitting 1310 nm
Titel
The Joint International Conference on Optical Internet and Next Generation Network, 2006 COIN-NGNCON 2006 ; 9 - 13 July 2006, Jeju, Korea (South)
Seiten
303-306
Verlag
IEEE
Ort
Piscataway, NJ
Erscheinungsjahr
2006
Identifikatoren
eISBN: 9788995530146, 9781424435913, 8995530146
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