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Autor(en)
Lu, Yang
Artikel
Scalability of voltage-controlled filamentary and nanometallic resistance memory devicesElectronic supplementary information (ESI) available: Table S1, Fig. S1-S8, additional R-V switching curves w/ and w/o current compliance, area dependence of resistance, and schematic switching curves. See DOI: 10.1039/c7nr02915b