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Autor(en)
Lu, Yang
Artikel
Scalability of voltage-controlled filamentary and nanometallic resistance memory devicesElectronic supplementary information (ESI) available: Table S1, Fig. S1-S8, additional R-V switching curves w/ and w/o current compliance, area dependence of resistance, and schematic switching curves. See DOI: 10.1039/c7nr02915b
Titel
Nanoscale
Seiten
1269-12697
Band
9
Heft
34
Verlag
RSC Pub
Ort
[Cambridge, England]
Erscheinungsjahr
2017
Identifikatoren
ISSN: 2040-3364; eISSN: 2040-3372
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