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Autor(en)

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Artikel

A 1.2 V 12.8 GB/s 2 Gb Mobile Wide-I/O DRAM With 4 × 128 I/Os Using TSV Based Stacking

Titel

IEEE journal of solid state circuits a publication of the IEEE Solid-State Circuits Society

Seiten

107-116

Band

47

Heft

1

Verlag

IEEE

Ort

New York, NY

Erscheinungsjahr

2012

Identifikatoren

ISSN: 0018-9200; eISSN: 1558-173X

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  IEEE Electronic Library (IEL)

  Verfügbar von 1966 Band: 1 Heft: 1.;
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