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Autor(en)

Ma, Jun

Artikel

Multi-channel tri-gate normally-on/off AlGaN/GaN MOSHEMTs on Si substrate with high breakdown voltage and low ON-resistance

Titel

Applied physics letters

Band

113

Heft

24

Verlag

AIP

Ort

Melville, NY

Erscheinungsjahr

2018

Identifikatoren

ISSN: 0003-6951; eISSN: 1077-3118

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• Freie Ressource

  AIP Journals Complete

  Verfügbar von 1962 Band: 1 Heft: 1.;