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Autor(en)
Lou, Yongle
Artikel
Study on the mechanism of perpendicular magnetic anisotropy in Ta/CoFeB/MgO system
Titel
Journal of semiconductors
Seiten
14-17
Band
38
Heft
6
Verlag
Chinese Institute of Electronics
Ort
Beijing
Erscheinungsjahr
2017
Identifikatoren
ISSN: 1674-4926; eISSN: 2058-6140
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