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Autor(en)

FU, C. H

Artikel

A low gate leakage current and small equivalent oxide thickness MOSFET with Ti/HfO2 high-k gate dielectric

Titel

Microelectronic engineering

Seiten

1309-1311

Band

88

Heft

7

Verlag

Elsevier

Ort

[Erscheinungsort nicht ermittelbar]

Erscheinungsjahr

2011

Identifikatoren

ISSN: 0167-9317; eISSN: 1873-5568

Volltextzugriff (PDF)

• Freie Ressource

  Elsevier Journals AutoHoldings

  Verfügbar von 01/09/1983 Band: 1 Heft: 1.;
• Freie Ressource

  EZB-ELDEA-01987 Elsevier DEAL Freedom Collection

  Verfügbar von 1995 Band: 26 Heft: 2 bis 2022 Band: 266.;