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Autor(en)
Zhao, Ya-Wen
Artikel
Experimental evaluation of interface states during time-dependent dielectric breakdown of GaN-based MIS-HEMTs with LPCVD-SiNx gate dielectricProject supported by the National Key Research and Development Program of China (Grant No. 2017YFB0402800), the Key Research and Development Program of Guangdong Province, China (Grant Nos. 2019B010128002 and 2020B010173001), the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. U1601210 and 61904207), the Natural Science Foundation of Guangdong Prov
Titel
Chinese physics = Zhongguo-wuli
Verlag
Inst. of Physics
Ort
London
Erscheinungsjahr
2008-
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